El nuevo transistor de germanio es cuatro veces más rápido que el transistor actual

Según los informes de los medios extranjeros, los científicos del MIT han desarrollado un nuevo tipo de transistor. El nuevo transistor pasa la corriente a través de los agujeros en la estructura atómica del material, que es aproximadamente cuatro veces más rápido que los transistores actuales.

Para aumentar la velocidad, los científicos colocaron germanio en diferentes capas de silicio y productos compuestos de silicio. Más tarde, los átomos de germanio se combinaron con capas de silicio. Los materiales de tensión obligaron a la estructura de material superior a ser más compacta que sus estructuras originales. Suena un poco como si usáramos ratán para cambiar la forma de las plantas.

La estructura compacta da como resultado un agujero más estrecho entre los materiales de germanio, y la velocidad del transistor es el doble de la de la mayoría de los diseños experimentales actuales, y la velocidad del transistor en el mercado es 4 veces.